参数

Parameter

符号

Symbol

条件

Condition

小值

Min.

典型值

Typ.

大值

Max.

单位

Unit

工作温度

Operating temperature

Tc

I=Iop

-40

70

——

℃

激光器正向电流

Laser forward voltage

If

——

——

600

——

mA

激光器反向偏压

Laser reverse bias

Vr

——

——

2

——

V

二极管反向偏压

Diode reverse bias

Vrpd

——

——

10

——

V

TEC电流

TEC current

Itec

-20℃<Tc<65℃;Top=25℃,If=Iop

——

1.5

——

A

芯片温度

Chip temperature

TL

——

15

——

35

℃

输出光功率

Output optical power

Po

CW

——

40

——

Nv

阈值电流

Threshold current

Ith

TL=25℃

——

——

40

Ma

正向电压

Forward voltage

Vf

PO=PL

——

——

2.5

V

中心波长

Center wavelength

入c

PO=PL CW,20℃≤TL≤35

ITU中心波长

ITU Center wavelength

Nm

线宽

Linewidth

△入

PO=PL，TL=25°C

——

1

——

MHz

偏振消光比

Polarization extinction ratio

PER

——

——

20

——

dB

光隔离度

Optical isolation

ISO

——

——

32

——

dB

单模抑制比

Single mode suppression ratio

SMSR

PO=PL

30

——

——

dB

相对强度噪声

Relative intensity noise

RIN

CW,TL=25℃

——

——

-160

dB/Hz

背探光电流

Back probe photocurrent

Imon

Vrpd=5V

9

——

150

μA/mW

热敏电阻

Thermal resistor

Rt

T=25℃

9.5

——

10.5

KΩ

TEC电流

TEC current

Ic

△T=40º

——

——

1.5

A

TEC电压

TEC voltage

Vc

△T=40º