四川梓冠光电科技有限公司
第9年
第9年 
第9年
SOI芯片光延时线
SOI芯片式低偏振相关损耗可调光延时线，该产品基于级联的高速光开关和延时光路组成，实现大量程、量化可调光延时线的片上集成，本产品通过创新设计实现了低偏振相关性损耗，芯片尺寸小，集成度高，可提供裸片或光电一体化封装产品方案。
〖性能指标〗
参数指标
| 单位 | 小值 | 典型值
| 大值. |
波长范围
| nm | 1530nm—1570nm or 1270nm—1330nm
| ||
单级热调功耗 | mW | 100 | ||
单级电调功耗 | mW | 10 | ||
光纤接入损耗 | dB | 12@9 bit | ||
偏振相关损耗 | dB | 0.5 | ||
延时量精度 | ps | 3@2048 ps | ||
平坦度 | dB | <0.5 dB@2048 ps | ||
响应速率 | Hz | >20 kHz@热调试模式，>10 MHz@电调模式 | ||
大延时量 | ps | 1024/2048或可定制 | ||
延时量量化位数 | bit | 10或可定制
| ||
通道数 | 1或可定制 | |||
工作温度范围 | °C | -20 | 50 | |
工作湿度范围 | % | +65 | ||
芯片尺寸 | mm | 8.1(L)×2.3(W)×0.5(H)
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〖订货信息〗
波长 | 类型 | 通道数 |
13=1310nm 15=1550nm | 10-2048=10 bit, 2048 ps XX=other | 1=1CH，4=4CH，8=8CH，16=CH 48=48CH，XX=Other |
